
STW8N120K5 STMicroelectronics
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 269.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW8N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW8N120K5 за ціною від 244.76 грн до 532.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V |
на замовлення 17723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 11490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.7nC Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STW8N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.7nC Pulsed drain current: 12A |
товару немає в наявності |