Продукція > STMICROELECTRONICS > STW8N120K5
STW8N120K5

STW8N120K5 STMicroelectronics

stw8n120k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.86 грн
5+374.04 грн
10+338.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW8N120K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm.

Інші пропозиції STW8N120K5 за ціною від 236.57 грн до 636.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW8N120K5 STW8N120K5 STMicroelectronics en.DM00495481.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 17248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.60 грн
30+358.38 грн
120+302.46 грн
510+245.40 грн
1020+236.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 STMICROELECTRONICS 2710925.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 STMicroelectronics en.DM00495481.pdf MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 en.DM00495481.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 17248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+636.60 грн
30+358.38 грн
120+302.46 грн
510+245.40 грн
1020+236.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 2710925.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 en.DM00495481.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.