Продукція > STMICROELECTRONICS > STW8N120K5
STW8N120K5

STW8N120K5 STMicroelectronics

stw8n120k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
430+351.00 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW8N120K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STW8N120K5 за ціною від 219.53 грн до 557.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW8N120K5 STW8N120K5 STMicroelectronics stw8n120k5.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+352.12 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 STMicroelectronics en.DM00495481.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 17255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
30+272.40 грн
120+239.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 STMicroelectronics en.DM00495481.pdf MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.53 грн
10+297.71 грн
100+220.91 грн
600+220.22 грн
1200+219.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 STMICROELECTRONICS 2710925.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.34 грн
5+430.89 грн
10+304.44 грн
50+260.26 грн
100+234.03 грн
250+227.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 stw8n120k5.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
420+352.12 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 en.DM00495481.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 17255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+484.62 грн
30+272.40 грн
120+239.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 en.DM00495481.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+556.53 грн
10+297.71 грн
100+220.91 грн
600+220.22 грн
1200+219.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 2710925.pdf
STW8N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+557.34 грн
5+430.89 грн
10+304.44 грн
50+260.26 грн
100+234.03 грн
250+227.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.