STW8N120K5

STW8N120K5 STMicroelectronics


en.DM00495481.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.98 грн
25+315.77 грн
100+273.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW8N120K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW8N120K5 за ціною від 241.84 грн до 542.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW8N120K5 STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00495481.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.52 грн
30+394.50 грн
120+337.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2710925.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+542.60 грн
5+515.05 грн
10+487.51 грн
50+286.03 грн
100+246.85 грн
250+241.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics dm00495.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+294.31 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics dm00495.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics dm00495.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics dm00495.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A2FA0D2&compId=stw8n120k5.pdf?ci_sign=3f2d5a7cc8f1174cea227d06cfe05bb2ce0941fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N120K5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A2FA0D2&compId=stw8n120k5.pdf?ci_sign=3f2d5a7cc8f1174cea227d06cfe05bb2ce0941fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 12A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.