STW8N90K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.68 грн |
| 30+ | 172.09 грн |
| 120+ | 141.70 грн |
| 510+ | 112.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW8N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW8N90K5 за ціною від 108.96 грн до 357.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |