STW8N90K5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 366.37 грн |
| 10+ | 275.80 грн |
| 100+ | 184.42 грн |
| 500+ | 153.66 грн |
| 1000+ | 131.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW8N90K5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW8N90K5 за ціною від 117.43 грн до 381.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW8N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |