STW8N90K5

STW8N90K5 STMICROELECTRONICS


SGST-S-A0002952657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.43 грн
10+177.01 грн
100+167.95 грн
500+147.55 грн
1000+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW8N90K5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW8N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW8N90K5 за ціною від 117.43 грн до 378.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW8N90K5 STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics stw8n90k5-1852135.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.45 грн
25+206.78 грн
100+148.25 грн
250+124.76 грн
600+117.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics 11stw8n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics 11stw8n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics 11stw8n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics stw8n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00346763.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW8N90K5 Виробник : STMicroelectronics stw8n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.