Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW8NK80Z
STW8NK80Z

STW8NK80Z

en.CD00003264.pdf
Код товару: 111324
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW8NK80Z за ціною від 95.39 грн до 345.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.97 грн
10+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+159.28 грн
600+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics STP8NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.17 грн
30+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics en.CD00003264.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.67 грн
30+185.06 грн
120+152.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics en.CD00003264.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS27591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW8NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STW8NK80Z STMicroelectronics stp8nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z stp8nk80z.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.97 грн
10+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z stp8nk80z.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z stp8nk80z.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+159.28 грн
600+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z STP8NK80Z.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247
Technology: SuperMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.17 грн
30+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z en.CD00003264.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.67 грн
30+185.06 грн
120+152.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z en.CD00003264.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z SGSTS27591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW8NK80Z
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW8NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW8NK80Z stp8nk80z.pdf
STW8NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Тримач батарей CR2032 монтаж горизонтальний (KLS5-CR2032-02)
Код товару: 56672
5 Додати до обраних Обраний товар
Тримач батарей CR2032 монтаж горизонтальний (KLS5-CR2032-02)
Виробник: KLS
Батарейки > Тримачі та відсіки для батарейок
Опис: Тримач плоских батарейок 2032 на плату; UL94V-0; -55 ... +105C
Призначення: 2032
Габарити, мм: 27,6x23x7,6 мм
Кількість елементів: 1
у наявності: 1524 шт
  • 1196 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 98 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 108 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1 шт
  • 1 шт - очікується
на замовлення: 16 шт
  • 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+4.80 грн
100+4.30 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31683
2 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x20 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 204 шт
  • 204 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.20 грн
100+5.50 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 16V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX221M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31678
Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
220uF 16V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX221M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9330 шт
  • 9080 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.60 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31676
7 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1388 шт
  • 625 шт - склад
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 365 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 35V EZV SMD sizeA (low imp.) (EZV4R7M35RA) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23416
Додати до обраних Обраний товар
EZV_070829.pdf
4,7uF 35V EZV SMD sizeA (low imp.) (EZV4R7M35RA) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 4,7 мкФ
Номінальна напруга: 35 В
Серія: EZV, SMD низькоімпедансні
Температурний діапазон: -40...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size A
Макс. пульсуючий струм: 80 мА
у наявності: 924 шт
  • 876 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+1.90 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.