STW9N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.86 грн |
| 10+ | 284.55 грн |
| 25+ | 156.63 грн |
| 100+ | 130.15 грн |
| 250+ | 110.48 грн |
| 600+ | 108.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW9N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW9N80K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
STW9N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STW9N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
| STW9N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
|
STW9N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |


