STW9NK95Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.50 грн |
| 30+ | 116.20 грн |
| 120+ | 106.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW9NK95Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW9NK95Z за ціною від 102.44 грн до 252.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW9NK95Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW9NK95Z |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
STW9NK95Z Код товару: 132810
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW9NK95Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |