Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW9NK95Z за ціною від 108.15 грн до 313.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW9NK95Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW9NK95Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW9NK95Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 7A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW9NK95Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STW9NK95Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STW9NK95Z |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 122.40 грн |
| 1020+ | 121.48 грн |
| 1200+ | 118.64 грн |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 4.41A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 4.41A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.53 грн |
| 10+ | 134.72 грн |
| 30+ | 119.66 грн |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 950V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 313.61 грн |
| 30+ | 166.94 грн |
| 60+ | 150.75 грн |
| 120+ | 128.68 грн |
| 510+ | 108.15 грн |
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW9NK95Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







