STWA32N65DM6AG STMicroelectronics


en.dm00788544.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STWA32N65DM6AG STMicroelectronics

Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STWA32N65DM6AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STWA32N65DM6AG STWA32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00788544.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AG STWA32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00788544.pdf Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00788544.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B70C6FC780D2&compId=stwa32n65dm6ag.pdf?ci_sign=45c545c440ff1024e3b5ed5c08fb2689809a3bd4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 320W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.