STWA45N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 661.93 грн |
| 5+ | 619.12 грн |
| 10+ | 575.48 грн |
| 50+ | 383.01 грн |
| 100+ | 329.55 грн |
| 250+ | 305.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA45N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STWA45N65M5 за ціною від 322.19 грн до 684.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM) |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| STWA45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 596 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STWA45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STWA45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
STWA45N65M5 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STWA45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |