STWA48N60M6 STMicroelectronics
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 773.29 грн |
| 10+ | 578.25 грн |
| 100+ | 419.02 грн |
| 600+ | 373.31 грн |
| 1200+ | 332.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA48N60M6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STWA48N60M6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STWA48N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STWA48N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| STWA48N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |