Продукція > STMICROELECTRONICS > STWA50N65DM2AG

STWA50N65DM2AG STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STWA50N65DM2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STWA50N65DM2AG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STWA50N65DM2AG	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STWA50N65DM2AG	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STWA50N65DM2AG	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube On-state resistance: 70mΩ Drain current: 24A Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 110A Application: automotive industry Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.