STWA60N043DM9 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 762.39 грн |
| 10+ | 574.67 грн |
| 30+ | 527.90 грн |
| 120+ | 456.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA60N043DM9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM9 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STWA60N043DM9 за ціною від 462.74 грн до 889.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA60N043DM9 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM9 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 312W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 78.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STWA60N043DM9 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 312W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 78.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |