Продукція > STMICROELECTRONICS > STWA63N65DM2

STWA63N65DM2 STMicroelectronics

stwa63n65dm2-1852233.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1030.69 грн
10+934.24 грн
25+778.24 грн
100+685.58 грн
600+612.42 грн
1200+611.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STWA63N65DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V.

Інші пропозиції STWA63N65DM2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STWA63N65DM2 STWA63N65DM2 STMicroelectronics stwa63n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA63N65DM2 stwa63n65dm2.pdf
STWA63N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.