STWA65N045M9 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 984.49 грн |
| 5+ | 810.11 грн |
| 10+ | 635.73 грн |
| 50+ | 561.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA65N045M9 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STWA65N045M9 за ціною від 632.34 грн до 919.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STWA65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
STWA65N045M9 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET |
товару немає в наявності |