STWA65N65DM2AG

STWA65N65DM2AG STMicroelectronics


stwa65n65dm2ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.05 грн
10+387.76 грн
100+367.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STWA65N65DM2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STWA65N65DM2AG за ціною від 345.16 грн до 618.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STWA65N65DM2AG STWA65N65DM2AG Виробник : STMicroelectronics stwa65n65dm2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.76 грн
10+448.86 грн
100+369.65 грн
600+345.92 грн
1200+345.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00539661.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AG Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B76C3ADF00D2&compId=stwa65n65dm2ag.pdf?ci_sign=a1f37f48843a57ddaf89de25e8516713cb19d7ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
Application: automotive industry
Power dissipation: 446W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AG Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B76C3ADF00D2&compId=stwa65n65dm2ag.pdf?ci_sign=a1f37f48843a57ddaf89de25e8516713cb19d7ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 38A
Application: automotive industry
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.