STWA70N60DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA70N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 39A, Power dissipation: 390W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 42mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 220A, Gate charge: 99nC.
Інші пропозиції STWA70N60DM6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA70N60DM6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STWA70N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A Gate charge: 99nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STWA70N60DM6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STWA70N60DM6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Gate charge: 99nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.