STWA70N65DM6 STMicroelectronics
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 954.97 грн |
| 10+ | 844.53 грн |
| 25+ | 716.23 грн |
| 50+ | 682.12 грн |
| 100+ | 642.21 грн |
| 250+ | 589.96 грн |
| 600+ | 540.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA70N65DM6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STWA70N65DM6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STWA70N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |