STWA75N65DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA75N65DM6 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STWA75N65DM6 за ціною від 507.40 грн до 1071.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STWA75N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STWA75N65DM6 | Виробник : STM |
N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STWA75N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
