STWA75N65DM6

STWA75N65DM6 STMicroelectronics


stwa75n65dm6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1054.82 грн
10+801.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STWA75N65DM6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STWA75N65DM6 за ціною від 619.85 грн до 1169.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STWA75N65DM6 STWA75N65DM6 Виробник : STMICROELECTRONICS 3672118.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1110.70 грн
5+1002.24 грн
10+892.93 грн
50+797.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6 STWA75N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stwa75n65dm6-2660702.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.12 грн
10+911.08 грн
100+718.79 грн
250+695.55 грн
600+622.10 грн
1200+619.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stwa75n65dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stwa75n65dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stwa75n65dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stwa75n65dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.