
STWA88N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 935.00 грн |
10+ | 920.80 грн |
25+ | 630.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA88N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STWA88N65M5 за ціною від 584.32 грн до 967.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STWA88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
STWA88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
STWA88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
STWA88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Pulsed drain current: 336A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
STWA88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Pulsed drain current: 336A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |