STY105NM50N

STY105NM50N STMicroelectronics


sty105nm50n-1852052.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
на замовлення 600 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1786.3 грн
25+ 1459.04 грн
100+ 1189.02 грн
250+ 1054.84 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STY105NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: MAX247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STY105NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STY105NM50N STY105NM50N Виробник : STMicroelectronics 14012246748954558.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY105NM50N Виробник : STMicroelectronics 14012246748954558.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
товар відсутній
STY105NM50N STY105NM50N Виробник : STMicroelectronics en.DM00038663.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V
товар відсутній