STY105NM50N STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1441.77 грн |
| 5+ | 1412.89 грн |
| 10+ | 1384.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY105NM50N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STY105NM50N за ціною від 1174.15 грн до 2132.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY105NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STY105NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET |
на замовлення 220 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STY105NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STY105NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |