Продукція > STMICROELECTRONICS > STY105NM50N

STY105NM50N STMicroelectronics

Name: STY105NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3661726-3
Price: 1749.74 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MAX247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1749.74 грн
30+	1084.02 грн
120+	1023.55 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STY105NM50N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STY105NM50N

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STY105NM50N	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STY105NM50N	STMicroelectronics	MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET	на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STY105NM50N

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY105NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STY105NM50N

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.