Продукція > STMICROELECTRONICS > STY112N65M5

STY112N65M5 STMICROELECTRONICS

Name: STY112N65M5
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 2444852-6
Price: 2963.97 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2963.97 грн
10+	2712.26 грн
30+	2354.61 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STY112N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STY112N65M5

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STY112N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STY112N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STY112N65M5	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STY112N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.