STY139N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2280.44 грн |
| 30+ | 1755.55 грн |
| 120+ | 1638.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY139N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STY139N65M5 за ціною від 1480.64 грн до 2517.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STY139N65M5 Код товару: 60140
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 78A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |