
STY139N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2160.33 грн |
5+ | 2157.86 грн |
10+ | 2155.39 грн |
50+ | 1916.57 грн |
100+ | 1690.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY139N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STY139N65M5 за ціною від 1525.80 грн до 2453.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STY139N65M5 Код товару: 60140
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |