STY145N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2651.60 грн |
| 30+ | 1711.56 грн |
| 120+ | 1710.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY145N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 138A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STY145N65M5 за ціною від 1758.45 грн до 2888.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY145N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 138 A, 0.012 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 138A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STY145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STY145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STY145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STY145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: MAX247 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 625W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 87A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STY145N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: MAX247 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 625W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 87A |
товару немає в наявності |