
STY50N105DK5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2091.31 грн |
30+ | 1300.15 грн |
120+ | 1244.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY50N105DK5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: MAX247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STY50N105DK5 за ціною від 1212.65 грн до 2157.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ |
товару немає в наявності |