
STY50N105DK5 STMicroelectronics
на замовлення 894 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1975.32 грн |
25+ | 1401.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY50N105DK5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: MAX247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STY50N105DK5 за ціною від 1210.44 грн до 2033.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
STY50N105DK5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ |
товару немає в наявності |