STY60NM50 STMicroelectronics
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 624.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY60NM50 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STY60NM50 за ціною від 757.61 грн до 1762.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY60NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STY60NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 60 Amp |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STY60NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STY60NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STY60NM50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 560W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STY60NM50 |
|
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STY60NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |