
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 329.65 грн |
10+ | 272.61 грн |
25+ | 223.84 грн |
100+ | 191.55 грн |
250+ | 181.28 грн |
500+ | 171.00 грн |
800+ | 146.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM50010EL-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUM50010EL-GE3 за ціною від 267.57 грн до 337.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUM50010EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
SUM50010EL-GE3 | Виробник : Vishay | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-263) 250M SG , 1.75 m @ 10V 2.2 m @ 7.5V m @ 4.5V |
товару немає в наявності |