на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.04 грн |
| 10+ | 270.73 грн |
| 100+ | 192.75 грн |
| 500+ | 163.32 грн |
| 1000+ | 144.93 грн |
| 2500+ | 136.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50010EL-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUP50010EL-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50010EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |