Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP50010EL-GE3
SUP50010EL-GE3

SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix

sup50010el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+144.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm.

Інші пропозиції SUP50010EL-GE3 за ціною від 157.44 грн до 367.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix sup50010el.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.86 грн
10+235.19 грн
50+184.20 грн
100+157.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 Vishay / Siliconix sup50010el.pdf MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010EL-GE3 sup50010el.pdf
SUP50010EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.86 грн
10+235.19 грн
50+184.20 грн
100+157.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010EL-GE3 sup50010el.pdf
SUP50010EL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010EL-GE3 VISH-S-A0023700341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP50010EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.