Технічний опис SUP90220E-GE3 Vishay
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 64A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 100A.
Інші пропозиції SUP90220E-GE3 за ціною від 78.09 грн до 258.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SUP90220E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUP90220E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A |
товару немає в наявності |