SVD2955T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.62 грн |
| 10+ | 74.12 грн |
| 100+ | 49.59 грн |
| 500+ | 36.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SVD2955T4G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 55W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SVD2955T4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SVD2955T4G | onsemi |
MOSFETs PFET DPAK 60V 12A |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SVD2955T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET DPAK 60V 12A
MOSFETs PFET DPAK 60V 12A
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


