SVD2955T4G

SVD2955T4G ON Semiconductor


ntd2955-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SVD2955T4G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SVD2955T4G за ціною від 29.08 грн до 128.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SVD2955T4G SVD2955T4G Виробник : onsemi ntd2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G SVD2955T4G Виробник : onsemi 57A642583DBD3FAA821AF60AA9C03F83B30D7D8B097B29F405BF95012D74DD03.pdf MOSFETs PFET DPAK 60V 12A
на замовлення 41468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.74 грн
10+42.76 грн
100+32.60 грн
500+32.21 грн
1000+31.75 грн
2500+29.30 грн
5000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G SVD2955T4G Виробник : onsemi ntd2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.29 грн
10+78.51 грн
100+52.52 грн
500+38.84 грн
1000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G Виробник : ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G Виробник : ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.