SVD5865NLT4G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - SVD5865NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.07 грн |
| 22+ | 35.05 грн |
| 100+ | 29.06 грн |
| 500+ | 24.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SVD5865NLT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - SVD5865NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SVD5865NLT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SVD5865NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NFET DPAK 60V 34A 18MOHM |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
SVD5865NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
SVD5865NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |