T2N7002AK Toshiba



Виробник: Toshiba

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис T2N7002AK Toshiba

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.2A, Power dissipation: 0.32W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 0.35nC, Pulsed drain current: 0.76A, Version: ESD.

Інші пропозиції T2N7002AK

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
T2N7002AK,LM(T T2N7002AK,LM(T TOSHIBA T2N7002AK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(T T2N7002AK.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.