на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 63894.54 грн |
| 10+ | 62844.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис T3800N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies
Description: STD THYR/DIODEN DISC BG-T11126K-, Packaging: Tray, Package / Case: TO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: 135°C (TJ), Structure: Single, Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA, Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA, Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 63000A @ 50Hz, Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, Current - On State (It (AV)) (Max): 3800 A, Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V, Current - On State (It (RMS)) (Max): 5970 A, Voltage - Off State: 1.8 kV.
Інші пропозиції T3800N18TOFVTXPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| T3800N18TOFVTXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Phase Control Thyristor Disc |
товар відсутній |
||
 |
T3800N18TOFVTXPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: STD THYR/DIODEN DISC BG-T11126K- Packaging: Tray Package / Case: TO-200AE Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 135°C (TJ) Structure: Single Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 63000A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 3800 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 5970 A Voltage - Off State: 1.8 kV |
товар відсутній |