Продукція > MICROSEMI > TAN250A

TAN250A Microsemi

TAN250A%20datasheet%20Rev%20A-603774.pdf
Виробник: Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TAN250A Microsemi

Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 6.2db ~ 7dB, Power - Max: 575W, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW.

Інші пропозиції TAN250A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TAN250A Microsemi Corporation 77309-tan250a-datasheet-rev-a-pdf Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 6.2db ~ 7dB
Power - Max: 575W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz
Supplier Device Package: 55AW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAN250A 77309-tan250a-datasheet-rev-a-pdf
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 6.2db ~ 7dB
Power - Max: 575W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz
Supplier Device Package: 55AW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.