TB8S-G Comchip Technology
Виробник: Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: TBS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TB8S-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA, Current - Average Rectified (Io): 800 mA, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Supplier Device Package: TBS, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, Gull Wing, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TB8S-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TB8S-G | Comchip Technology |
Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TB8S-G |
|
Виробник: Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A
Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.