Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > TB8S-G
TB8S-G

TB8S-G Comchip Technology

108tb2s-g20thru.20tb10s-g20reva.pdf Виробник: Comchip Technology
Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case TBS T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TB8S-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: TBS, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 800 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції TB8S-G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TB8S-G TB8S-G Виробник : Comchip Technology 108tb2s-g20thru.20tb10s-g20reva.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 1A 4-Pin Case TBS T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB8S-G TB8S-G Виробник : Comchip Technology TB2S-G_%7E_TB10S-G.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB8S-G TB8S-G Виробник : Comchip Technology comcs00706_1-2263031.pdf Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.