TC2320TG-G

TC2320TG-G Microchip Technology


TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.60 грн
25+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TC2320TG-G Microchip Technology

Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції TC2320TG-G за ціною від 100.85 грн до 173.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf MOSFETs N/P Ch 200 Volt
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.02 грн
25+127.95 грн
100+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology hannel-enhancement-mode-dual-mosfet-data-sheet-20005708b.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+160.76 грн
82+155.94 грн
100+145.65 грн
250+130.56 грн
500+121.14 грн
1000+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology hannel-enhancement-mode-dual-mosfet-data-sheet-20005708b.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+161.12 грн
500+157.09 грн
1000+153.20 грн
3500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology hannel-enhancement-mode-dual-mosfet-data-sheet-20005708b.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.96 грн
10+172.24 грн
25+167.08 грн
100+156.05 грн
250+139.89 грн
500+129.79 грн
1000+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G
Код товару: 164760
Додати до обраних Обраний товар

TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology hannel-enhancement-mode-dual-mosfet-data-sheet-20005708b.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology hannel-enhancement-mode-dual-mosfet-data-sheet-20005708b.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC2320TG-G TC2320TG-G Виробник : Microchip Technology TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.