Продукція > TOSHIBA MEMORY > TC58NYG0S3HBAI6
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory

docget.jsp?did=14829&prodname=tc58nyg0s3hbai6
Виробник: Toshiba Memory
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 67-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 128M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції TC58NYG0S3HBAI6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC58NYG0S3HBAI6 TC58NYG0S3HBAI6 Kioxia America, Inc. KIOXIA_TC58NYG0S3HBAI6_Rev2.00_E191001C.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 67-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC58NYG0S3HBAI6 TC58NYG0S3HBAI6 Kioxia America kioxiaamericainc_tosc_s_a0002810421_1-1991597.pdf NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC58NYG0S3HBAI6 KIOXIA_TC58NYG0S3HBAI6_Rev2.00_E191001C.pdf
TC58NYG0S3HBAI6
Виробник: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 67-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC58NYG0S3HBAI6 kioxiaamericainc_tosc_s_a0002810421_1-1991597.pdf
TC58NYG0S3HBAI6
Виробник: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.