TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory


docget.jsp?did=14829&prodname=tc58nyg0s3hbai6
Виробник: Toshiba Memory
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 128M x 8, Access Time: 25 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND (SLC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 1Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 67-VFBGA, Packaging: Tray.

Інші пропозиції TC58NYG0S3HBAI6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC58NYG0S3HBAI6 TC58NYG0S3HBAI6 Виробник : Kioxia America, Inc. KIOXIA_TC58NYG0S3HBAI6_Rev2.00_E191001C.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 67-VFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC58NYG0S3HBAI6 TC58NYG0S3HBAI6 Виробник : Kioxia America kioxiaamericainc_tosc_s_a0002810421_1-1991597.pdf NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.