Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TC6320TG-G
TC6320TG-G

TC6320TG-G Microchip Technology

TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3300+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TC6320TG-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції TC6320TG-G за ціною від 82.28 грн до 160.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC6320TG-G TC6320TG-G MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.46 грн
3300+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.42 грн
25+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf MOSFETs 200V 8.0/7.0Ohm
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.99 грн
25+104.33 грн
100+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.27 грн
25+109.12 грн
100+98.46 грн
3300+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+154.29 грн
500+151.67 грн
1000+148.02 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.12 грн
10+157.68 грн
25+155.14 грн
100+147.15 грн
250+133.98 грн
500+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.12 грн
90+157.68 грн
91+155.14 грн
100+147.15 грн
250+133.98 грн
500+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G 3045888.pdf
TC6320TG-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+98.46 грн
3300+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf
TC6320TG-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.42 грн
25+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf
TC6320TG-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 200V 8.0/7.0Ohm
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.99 грн
25+104.33 грн
100+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G 3045888.pdf
TC6320TG-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+131.27 грн
25+109.12 грн
100+98.46 грн
3300+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf
TC6320TG-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+154.29 грн
500+151.67 грн
1000+148.02 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf
TC6320TG-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+160.12 грн
10+157.68 грн
25+155.14 грн
100+147.15 грн
250+133.98 грн
500+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC6320TG-G annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf
TC6320TG-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
89+160.12 грн
90+157.68 грн
91+155.14 грн
100+147.15 грн
250+133.98 грн
500+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.