TC6320TG-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3300+ | 95.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TC6320TG-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TC6320TG-G за ціною від 97.54 грн до 151.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V euEccn: NLR Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V euEccn: NLR Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 200V 8.0/7.0Ohm |
на замовлення 19256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TC6320TG-G Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |