TC7920K6-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 25V, 54pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 12-DFN (4x4)
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 25V, 54pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 12-DFN (4x4)
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3300+ | 125.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TC7920K6-G Microchip Technology
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 25V, 54pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 12-DFN (4x4).
Інші пропозиції TC7920K6-G за ціною від 116.16 грн до 178.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TC7920K6-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 25V, 54pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 12-DFN (4x4) |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TC7920K6-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 2PR N- & PCH ENHANCE MD MSFET w/DRAIN-DI |
на замовлення 10960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
TC7920K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH 200V 12-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TC7920K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH 200V 12-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TC7920K6-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY | TC7920K6-G Multi channel transistors |
товар відсутній |