Технічний опис TC8020K6-G-M937 Microchip Technology
Description: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 6 N and 6 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 56-QFN (8x8).
Інші пропозиції TC8020K6-G-M937
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TC8020K6-G-M937 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N/P-CH 200V 56-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|
| TC8020K6-G-M937 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TC8020K6-G-M937 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
TC8020K6-G-M937 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 6 N and 6 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 56-QFN (8x8) |
товар відсутній |
|
 |
TC8020K6-G-M937 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET ENH-MODE |
товар відсутній |
|
|
|
TC8020K6-G M937 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET |
товар відсутній |