TC8220K6-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V, 75pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 12-DFN (4x4)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V, 75pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 12-DFN (4x4)
Part Status: Active
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3300+ | 136.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TC8220K6-G Microchip Technology
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V, 75pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 12-DFN (4x4), Part Status: Active.
Інші пропозиції TC8220K6-G за ціною від 123.26 грн до 191.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TC8220K6-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V, 75pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 12-DFN (4x4) Part Status: Active |
на замовлення 3653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TC8220K6-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFETs 2PR N- & PCH ENHANCE MODE MOSFET |
на замовлення 6765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
TC8220K6-G Код товару: 144829 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
TC8220K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH 200V 12-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC8220K6-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N/P-CH 200V 12-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
TC8220K6-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY | TC8220K6-G Multi channel transistors |
товару немає в наявності |