TD210N12KOF Infineon Technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 16411.13 грн |
| 6+ | 15857.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TD210N12KOF Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Semiconductor structure: double series, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 210A, Case: BG-PB50-1, Max. forward voltage: 1.65V, Max. forward impulse current: 6.6kA, Gate current: 200mA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Max. load current: 410A.
Інші пропозиції TD210N12KOF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TD210N12KOF | Виробник : EUPEC | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
TD210N12KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Type of semiconductor module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 210A Case: BG-PB50-1 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 6.6kA Gate current: 200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 410A |
товару немає в наявності |