Технічний опис TD210N12KOF Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Max. forward impulse current: 6.6kA, Gate current: 200mA, Max. forward voltage: 1.65V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Load current: 210A, Max. load current: 410A, Semiconductor structure: double series, Case: BG-PB50-1.
Інші пропозиції TD210N12KOF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TD210N12KOF | Infineon | SCR MODULE 1800V 410A MODULE Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
TD210N12KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Max. forward impulse current: 6.6kA Gate current: 200mA Max. forward voltage: 1.65V Type of semiconductor module: diode-thyristor Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Load current: 210A Max. load current: 410A Semiconductor structure: double series Case: BG-PB50-1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TD210N12KOF |
Виробник: Infineon
SCR MODULE 1800V 410A MODULE Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
SCR MODULE 1800V 410A MODULE Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TD210N12KOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 210A
Max. load current: 410A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 210A
Max. load current: 410A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




