Технічний опис TD250N18KOF EUPEC
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw, Max. forward impulse current: 8kA, Gate current: 200mA, Max. forward voltage: 1.5V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.8kV, Electrical mounting: screw, Load current: 250A, Max. load current: 410A, Semiconductor structure: double series, Case: BG-PB50-1.
Інші пропозиції TD250N18KOF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TD250N18KOF | Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TD250N18KOF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A
Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)