Технічний опис TD250N18KOF EUPEC
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 250A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 8kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.8kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TD250N18KOF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TD250N18KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 1.8kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
TD250N18KOF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
TD250N18KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 1.8kV |
товару немає в наявності |