Продукція > EUPEC > TD250N18KOF

TD250N18KOF EUPEC


Виробник: EUPEC
05+
на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TD250N18KOF EUPEC

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 250A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 8kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.8kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TD250N18KOF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TD250N18KOF TD250N18KOF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5859EF239B07A2469&compId=TD250N18KOF.pdf?ci_sign=24522337959f5407f41e7cabc507870eac24e972 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw
Max. load current: 410A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Case: BG-PB50-1
Max. off-state voltage: 1.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N18KOF Виробник : Infineon Technologies Infineon_TT250N_DataSheet_v03_06_EN-3364071.pdf Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N18KOF TD250N18KOF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5859EF239B07A2469&compId=TD250N18KOF.pdf?ci_sign=24522337959f5407f41e7cabc507870eac24e972 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw
Max. load current: 410A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Case: BG-PB50-1
Max. off-state voltage: 1.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.