Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > TDB6HK180N16RRB11BPSA1
TDB6HK180N16RRB11BPSA1

TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies

Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10942.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 140A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoBRIDGE, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 140A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції TDB6HK180N16RRB11BPSA1 за ціною від 9905.89 грн до 15518.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : INFINEON 2577587.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 140A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11128.48 грн
5+10517.60 грн
10+9905.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_TDB6HK180N16RR_B11_DS_v08_00_en_de-2950529.pdf Discrete Semiconductor Modules N
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11769.70 грн
30+10517.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf IGBT-Module Transistor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15518.79 грн
5+15113.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
Код товару: 203329
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf SP005422422
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf IGBT-Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.