Продукція > Транзистори > IGBT > TDB6HK180N16RRB11BPSA1

TDB6HK180N16RRB11BPSA1


Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16
Код товару: 203329
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TDB6HK180N16RRB11BPSA1 за ціною від 4363.20 грн до 15225.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5938.36 грн
15+4363.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6422.40 грн
10+5536.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : INFINEON 2577587.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6751.92 грн
5+6659.04 грн
10+6566.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15225.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.