Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > TDB6HK180N16RRBPSA1
TDB6HK180N16RRBPSA1

TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon Technologies

Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3c35823305 Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7111.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 140A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 140A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції TDB6HK180N16RRBPSA1 за ціною від 5536.61 грн до 12983.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDB6HK180N16RRBPSA1 TDB6HK180N16RRBPSA1 Виробник : INFINEON 2577588.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 140A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11451.22 грн
5+10812.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 TDB6HK180N16RRBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_TDB6HK180N16RR_DS_v02_00_en_de-1854163.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11475.16 грн
10+10198.00 грн
30+5536.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 TDB6HK180N16RRBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 5298ds_tdb6hk180n16rr_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b43021.pdf Half Controlled Bridge with Brake Chopper
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12983.04 грн
5+11461.59 грн
10+10751.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 5298ds_tdb6hk180n16rr_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b43021.pdf SP005422504
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 TDB6HK180N16RRBPSA1 Виробник : Infineon Technologies 5298ds_tdb6hk180n16rr_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b43021.pdf Half Controlled Bridge with Brake Chopper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.