TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6571.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 140A, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 140A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TDB6HK180N16RRBPSA1 за ціною від 5981.48 грн до 8810.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TDB6HK180N16RRBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TDB6HK180N16RRBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 140A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TDB6HK180N16RRBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005422504 |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
TDB6HK180N16RRBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray |
товару немає в наявності |