TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Voltage - Off State: 2.2 kV
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411, Voltage - Off State: 2.2 kV, Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V, Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes, Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA, Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції TDB6HK180N22RRPB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.