Продукція > TOSHIBA > TDTA114E,LM(T

TDTA114E,LM(T Toshiba


tdta114e_datasheet_en_20201113.pdf Виробник: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDTA114E,LM(T Toshiba

Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ, Type of transistor: PNP, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.32W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 250MHz, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції TDTA114E,LM(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TDTA114E,LM(T TDTA114E,LM(T Виробник : TOSHIBA TDTA114E.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TDTA114E,LM(T TDTA114E,LM(T Виробник : TOSHIBA TDTA114E.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній