Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TDTA123J,LM
TDTA123J,LM

TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.08 грн
47+6.55 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 320 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TDTA123J,LM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Виробник : Toshiba TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Digital Transistors BRT -0.1A -50V 2.2KOhm / 47KOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.