TF412ST5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.60 грн |
| 16000+ | 5.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TF412ST5G onsemi
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції TF412ST5G за ціною від 5.20 грн до 36.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TF412ST5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TF412ST5G | Виробник : onsemi |
JFETs NCH J-FET SOT-883 |
на замовлення 346027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TF412ST5G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
на замовлення 137845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TF412ST5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |