TF412ST5G

TF412ST5G onsemi


tf412s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TF412ST5G onsemi

Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції TF412ST5G за ціною від 5.52 грн до 32.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : ON Semiconductor tf412s-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SOT-883 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : onsemi TF412S_D-3150575.pdf JFETs NCH J-FET SOT-883
на замовлення 346027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
19+18.19 грн
100+10.08 грн
1000+6.84 грн
2500+6.77 грн
8000+5.81 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : onsemi tf412s-d.pdf Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 11273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
15+21.53 грн
100+13.70 грн
500+9.65 грн
1000+8.35 грн
2000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TF412ST5G TF412ST5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.