Продукція > TDK > TFM252012ALVA2R2MTAA

TFM252012ALVA2R2MTAA TDK

Виробник: TDK
Power Inductors - SMD 2.2uH 20% 84mOhm AEC-Q200

на замовлення 26670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TFM252012ALVA2R2MTAA TDK

Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.084ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Metall, DC-Nennstrom: 2.8A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: TFM-ALVA Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції TFM252012ALVA2R2MTAA

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	TFM252012ALVA2R2MTAA	TDK	Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.084ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Metall DC-Nennstrom: 2.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: TFM-ALVA Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
	TFM252012ALVA2R2MTAA	TDK	Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.084ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Metall DC-Nennstrom: 2.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: TFM-ALVA Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн.

TFM252012ALVA2R2MTAA

Виробник: TDK
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.084ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Metall
DC-Nennstrom: 2.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TFM-ALVA Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

TFM252012ALVA2R2MTAA

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 45 шт

В кошику од. на суму грн.