TGF2023-2-02 Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: DC-18GHZ,12W DISCRETE PWR GAN/SI
Supplier Device Package: Chip
Technology: HEMT
Gain: 11.7dB
Power - Output: 12W
Configuration: P-Channel
Frequency: 18GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10A
Package / Case: Die
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TGF2023-2-02 Qorvo
Description: DC-18GHZ,12W DISCRETE PWR GAN/SI, Supplier Device Package: Chip, Technology: HEMT, Gain: 11.7dB, Power - Output: 12W, Configuration: P-Channel, Frequency: 18GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10A, Package / Case: Die, Packaging: Tray.
Інші пропозиції TGF2023-2-02
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TGF2023-2-02 | Qorvo |
GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TGF2023-2-02 |
|
Виробник: Qorvo
GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)