Технічний опис TGF2979-SM ---
Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR, Packaging: Tray, Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 12GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 25W, Gain: 11dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 20-QFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції TGF2979-SM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TGF2979-SM | Qorvo |
 Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TRPackaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 12GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 25W Gain: 11dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 20-QFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
TGF2979-SM | Qorvo |
GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TGF2979-SM |
|
Виробник: Qorvo
Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 25W
Gain: 11dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 20-QFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 150 mA
Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 25W
Gain: 11dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 20-QFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TGF2979-SM |
|
Виробник: Qorvo
GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.