Продукція > --- > TGF2979-SM

TGF2979-SM ---

da004926
Виробник: ---
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TGF2979-SM ---

Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR, Packaging: Tray, Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 12GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 25W, Gain: 11dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 20-QFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 150 mA.

Інші пропозиції TGF2979-SM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TGF2979-SM TGF2979-SM Виробник : Qorvo da004926 Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 25W
Gain: 11dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 20-QFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGF2979-SM TGF2979-SM Виробник : Qorvo da004926 GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.