
TGL200CU10 Diotec Semiconductor
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 36.36 грн |
15+ | 24.39 грн |
100+ | 12.00 грн |
500+ | 9.51 грн |
1000+ | 8.07 грн |
2500+ | 6.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TGL200CU10 Diotec Semiconductor
Category: Diodes - others, Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA, Type of diode: TVS+FRD, Case: DO213AA, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward impulse current: 1A, Kind of package: reel; tape, Reverse recovery time: 75ns, Leakage current: 5µA, Tolerance: ±10%, Breakdown voltage: 200V, Peak pulse power dissipation: 0.3kW, Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції TGL200CU10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA Type of diode: TVS+FRD Case: DO213AA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 5µA Tolerance: ±10% Breakdown voltage: 200V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 162V Supplier Device Package: DO-213AB (MELF) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 180V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 287V Power - Peak Pulse: 300W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA Type of diode: TVS+FRD Case: DO213AA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 5µA Tolerance: ±10% Breakdown voltage: 200V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching |
товару немає в наявності |