
TGL200CU10 Diotec Semiconductor
на замовлення 7326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 39.49 грн |
13+ | 26.55 грн |
100+ | 13.07 грн |
500+ | 10.32 грн |
1000+ | 8.76 грн |
2500+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TGL200CU10 Diotec Semiconductor
Category: Diodes - others, Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA, Type of diode: TVS+FRD, Case: DO213AA, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward impulse current: 1A, Reverse recovery time: 75ns, Breakdown voltage: 200V, Leakage current: 5µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching, Peak pulse power dissipation: 0.3kW, Tolerance: ±10%, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції TGL200CU10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA Type of diode: TVS+FRD Case: DO213AA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 1A Reverse recovery time: 75ns Breakdown voltage: 200V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching Peak pulse power dissipation: 0.3kW Tolerance: ±10% кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 162V Supplier Device Package: DO-213AB (MELF) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 180V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 287V Power - Peak Pulse: 300W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TGL200CU10 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 1kV; 300W; DO213AA; 75ns; Ifsm: 1A; reel,tape; Ir: 5uA Type of diode: TVS+FRD Case: DO213AA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 1A Reverse recovery time: 75ns Breakdown voltage: 200V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching Peak pulse power dissipation: 0.3kW Tolerance: ±10% |
товару немає в наявності |